产品介绍
面向太赫兹、红外与光学辐射测量的高灵敏、宽动态范围低温探测解决方案。
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华太极光超导动态电感光子探测系统以 KID / MKID 超导谐振结构为核心敏感单元。入射光子被超导薄膜吸收后，会改变准粒子状态和薄膜动能电感，使谐振器中心频率、相位或幅度发生可测变化；系统通过 300 MHz–1 GHz 微波读出链路及 HEMT 低噪声放大，将弱光子响应转换为可分析的电信号。不同像素可设计为不同本征谐振频率，从而在同一馈线上实现频率复用读取。 华太极光 TES 低温探测系统以氮化铌（NbN）超导过渡边缘传感器为核心敏感单元。入射辐射经温斯顿锥、光学积分腔和低通滤波组件耦合至器件，使薄膜工作点稳定在超导转变边缘；微小温升引起显著电阻变化，并在电热反馈作用下形成高灵敏、宽线性的电学响应。系统进一步采用超导动态电感读出方案，替代传统 SQUID 读出链路，为多像素复用和阵列扩展提供基础。 |
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01
光学耦合
温斯顿锥 / 积分腔 / 低通滤波
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02
转变边缘探测
NbN 薄膜稳定工作于 Tc 附近
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03
电热反馈
微小温升转化为显著电阻响应
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04
动态电感读出
非 SQUID 架构，支持复用扩展
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产品特点
■ NbN 超导薄膜
■ 3–12 K 工作温区
■ 超导动态电感读出
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NbN TES 敏感单元 氮化铌薄膜工作在超导转变边缘，利用电热反馈将微小辐射引起的温升转化为显著电阻变化，兼顾高灵敏度、线性动态范围和较高工作温区。
■ 工作温区：3–12 K |
超导动态电感读出 基于超导动态电感变化构建非 SQUID 读出链路，降低传统 SQUID 在低温、工艺和成本方面的复杂度，并为多像素复用读取提供系统基础。
■ 可减少对传统 SQUID 链路的依赖 |
电热反馈稳定工作 · 0.1–30 THz 宽频覆盖 · 超导动态电感 复用读出
以下为当前产品材料所列典型规格。具体指标将随超导薄膜、像素设计、光学耦合、封装及读出条件变化。以下为当前产品材料所列典型规格。具体指标将随薄膜工作点、光学耦合、滤波配置及读出条件变化。
说明：以上参数为当前方案或典型配置，实际指标随探测材料、工作波段、光学耦合、本振及读出链路而变化，zui终以具体技术协议和测试报告为准。
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参数项目 |
典型规格 |
说明 / 配置 |
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产品型号 |
NbN 过渡边缘传感器 + 超导动态电感读出 |
可按目标波段与系统需求定制 |
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工作温度 |
3–12 K |
工作点与薄膜 Tc 及偏置条件有关 |
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频率范围 |
0.1–30 THz(10 μm ～ 3000 μm) |
由窗口、温斯顿锥和滤光组件配置 |
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响应率 |
130 kV/W |
典型值 |
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探测器光学 NEP |
0.1 pW/√Hz |
典型测试条件下 |
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探测器速度（-3 dB） |
1 kHz |
典型值 |
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探测器饱和功率 |
7–20 μW |
与器件及光学耦合条件有关 |
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相干性 |
非相干（Incoherent） |
总功率探测 |
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偏振特性 |
无（None） |
典型配置 |
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线性动态范围 |
可达 70 dB |
与系统配置及读出链路有关 |
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光学耦合 |
积分腔 + 温斯顿锥 + 低通滤波器 |
可按实验需求配置 |
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读出方式 |
超导动态电感读出 |
替代传统 SQUID 读出路径 |
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可扩展性 |
支持阵列式集成和读取 |
适配多像素复用方案 |
说明：以上参数为当前方案或典型配置，实际指标随探测材料、工作波段、光学耦合、本振及读出链路而变化，zui终以具体技术协议和测试报告为准。
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01 较高工作温区 相较于常见亚开尔文 TES 方案，NbN 器件覆盖 3–12 K 温区，可降低超低温系统复杂度。 |
02 宽频辐射响应 频率范围覆盖 0.1–30 THz，结合光学耦合和滤波组件，可面向太赫兹、红外与光学测量。 |
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03 高灵敏与宽动态 典型响应率 130 kV/W，光学 NEP 0.1 pW/√Hz，线性动态范围可达 70 dB。 |
04 阵列化与复用 基于超导动态电感的读出架构可降低多像素布线与读出复杂度，支持阵列式扩展。 |
