产品介绍
面向太赫兹、红外、光学与弱光子测量的多像素、频率复用低温探测解决方案。
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华太极光超导动态电感光子探测系统以 KID / MKID 超导谐振结构为核心敏感单元。入射光子被超导薄膜吸收后,会改变准粒子状态和薄膜动能电感,使谐振器中心频率、相位或幅度发生可测变化;系统通过 300 MHz–1 GHz 微波读出链路及 HEMT 低噪声放大,将弱光子响应转换为可分析的电信号。不同像素可设计为不同本征谐振频率,从而在同一馈线上实现频率复用读取。 |
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01
光学耦合
窗口 / 透镜 / 滤光组件适配
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02
超导响应
入射光子改变准粒子状态
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03
谐振偏移
频率 / 相位 / 幅度发生变化
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04
微波读出
HEMT 放大并提取响应信号
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产品特点
■ 1–16 像素可配置
■ 2.7–4 K 工作温区
■ 频率复用微波读出
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01 4 K 级工作温区 典型工作温度为 2.7–4 K,可与闭循环低温平台及低温放大链路配套,降低系统集成复杂度。 |
02 多波段适配 可面向太赫兹、红外与光学频段配置探测结构、窗口和滤光组件,窄带方案典型带宽约 5%–10%。 |
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03 多像素频率复用 支持 1–16 像素配置,通过本征谐振频率差异实现频分复用,为阵列化扩展提供基础。 |
04 模块化系统集成 可提供探测芯片、低温封装、光学接口、微波读出及测试支持,适配科研仪器与定制化系统。 |
双核心技术
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KID / MKID 超导敏感单元 基于超导薄膜动能电感变化构建谐振型探测单元,可根据目标波段、像素数量、吸收结构和光学输入方式进行设计,适配单像素与多像素探测。 ■ 工作温区:2.7–4 K ■ 当前配置:1–16 像素 |
本征频率复用读出 不同像素采用不同本征谐振频率,可在同一微波馈线中实现多像素读取,减少低温线缆、真空馈通和多通道读出复杂度。 ■ 读出频率:300 MHz–1 GHz ■ 50 Ω SMA 接口 + HEMT 放大 |
以下为当前产品材料所列典型规格。具体指标将随超导薄膜、像素设计、光学耦合、封装及读出条件变化。
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参数项目 |
典型规格 |
说明 / 配置 |
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产品型号 |
超导动态电感光子探测器(SKIPD / KID / MKID) |
可按目标波段与系统需求定制 |
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探测机制 |
光子改变超导薄膜动能电感及谐振响应 |
读取频率、相位或幅度变化 |
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工作频段 |
太赫兹 / 红外 / 光学 0.1‑10THz/0.76‑1000μm/0.38‑0.76 μm |
窄带方案典型带宽 5%–10% |
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工作温度 |
2.7–4 K |
适配闭循环低温系统 |
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像素数量 |
1–16 像素 |
支持单像素与多像素配置 |
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动态范围 |
70 dB |
典型配置 |
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响应时间 |
≤10 μs |
与器件及读出条件有关 |
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噪声等效功率 NEP |
按具体型号及测试条件确认 |
与工作波段和光学耦合有关 |
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谐振峰品质因素 Q |
按具体像素及测试条件确认 |
与封装和读出功率有关 |
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信号接口 |
50 Ω SMA |
微波输入 / 输出接口 |
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读出方式 |
300 MHz–1 GHz 微波读出 |
微波信号经 HEMT 放大 |
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光学输入 |
聚焦光或平行光,zui大口径 30 mm |
窗口、滤光器及机械接口可配置 |
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交付形式 |
探测芯片 / 封装模块 / 低温读出配套 / 系统集成 |
根据项目需求确定 |
说明:以上参数为当前方案或典型配置,实际指标随探测材料、工作波段、光学耦合、本振及读出链路而变化,zui终以具体技术协议和测试报告为准。








